型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFN130N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 300 V, 22 mohm, 10 V, 4 V61801-9¥280.128510-49¥272.820850-99¥267.2182100-199¥265.2695200-499¥263.8080500-999¥261.85931000-1999¥260.6413≥2000¥259.4234
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Boost Chop 1200V 60A Sot22760451-9¥194.453510-49¥189.380850-99¥185.4917100-199¥184.1390200-499¥183.1245500-999¥181.77181000-1999¥180.9263≥2000¥180.0809
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Buck Chop 1200V 160A Sot22771951-9¥400.039010-49¥389.603250-99¥381.6024100-199¥378.8195200-499¥376.7324500-999¥373.94951000-1999¥372.2102≥2000¥370.4709
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Buck Chop 1200V 60A Sot22763671-9¥213.647010-49¥208.073650-99¥203.8007100-199¥202.3144200-499¥201.1997500-999¥199.71351000-1999¥198.7846≥2000¥197.8557
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Boost Chp 1200V 120A Sot22755561-9¥283.187510-49¥275.800050-99¥270.1363100-199¥268.1663200-499¥266.6888500-999¥264.71881000-1999¥263.4875≥2000¥262.2563
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品类: MOS管描述: VISHAY VS-FB190SA10 单晶体管 双极, N沟道, 190 A, 100 V, 0.0054 ohm, 10 V, 3.3 V21161-9¥179.584010-49¥174.899250-99¥171.3075100-199¥170.0582200-499¥169.1213500-999¥167.87201000-1999¥167.0912≥2000¥166.3104
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品类: 肖特基二极管描述: Diode Schottky 80V 60A Sot22734771-9¥232.116010-49¥226.060850-99¥221.4185100-199¥219.8038200-499¥218.5927500-999¥216.97801000-1999¥215.9688≥2000¥214.9596
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品类: 肖特基二极管描述: 肖特基二极管与整流器 120V 160A Fwd Schottky40571-9¥254.196010-49¥247.564850-99¥242.4809100-199¥240.7126200-499¥239.3863500-999¥237.61801000-1999¥236.5128≥2000¥235.4076
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品类: 肖特基二极管描述: 肖特基二极管与整流器 150V 320A Fwd Schottky49471-9¥375.452010-49¥365.657650-99¥358.1486100-199¥355.5367200-499¥353.5778500-999¥350.96601000-1999¥349.3336≥2000¥347.7012
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品类: 肖特基二极管描述: Diode Schottky 150V 100A Sot22744251-9¥355.476510-49¥346.203250-99¥339.0937100-199¥336.6208200-499¥334.7661500-999¥332.29331000-1999¥330.7477≥2000¥329.2022
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 650V Sot22778931-9¥288.270510-49¥280.750450-99¥274.9850100-199¥272.9796200-499¥271.4756500-999¥269.47031000-1999¥268.2169≥2000¥266.9636
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品类: MOS管描述: ISOPLUS N-CH 500V 41A60971-9¥275.804510-49¥268.609650-99¥263.0935100-199¥261.1749200-499¥259.7359500-999¥257.81731000-1999¥256.6181≥2000¥255.4190
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品类: MOS管描述: SOT-227B N-CH 900V 43A54341-9¥346.598510-49¥337.556850-99¥330.6248100-199¥328.2137200-499¥326.4054500-999¥323.99431000-1999¥322.4873≥2000¥320.9804
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品类: MOS管描述: IXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 210 mOhm 1000 W 功率 Mosfet - SOT-227B83095-49¥20.837750-199¥19.9472200-499¥19.4485500-999¥19.32391000-2499¥19.19922500-4999¥19.05675000-7499¥18.9677≥7500¥18.8786
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品类: MOS管描述: SOT-227B N-CH 600V 32A63641-9¥262.832510-49¥255.976050-99¥250.7194100-199¥248.8910200-499¥247.5197500-999¥245.69131000-1999¥244.5485≥2000¥243.4058
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 145A 595000mW 4Pin SOT-227B25711-9¥340.860010-49¥331.968050-99¥325.1508100-199¥322.7796200-499¥321.0012500-999¥318.63001000-1999¥317.1480≥2000¥315.6660
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 200 Amps 600V460020-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 1kV 24A 4Pin SOT-227B27221-9¥276.494510-49¥269.281650-99¥263.7517100-199¥261.8283200-499¥260.3857500-999¥258.46231000-1999¥257.2601≥2000¥256.0580
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品类: MOS管描述: SOT-227B P-CH 200V 90A61391-9¥260.314010-49¥253.523250-99¥248.3169100-199¥246.5060200-499¥245.1479500-999¥243.33701000-1999¥242.2052≥2000¥241.0734
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。38921-9¥260.440510-49¥253.646450-99¥248.4376100-199¥246.6258200-499¥245.2670500-999¥243.45531000-1999¥242.3229≥2000¥241.1906
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。79431-9¥293.951510-49¥286.283250-99¥280.4042100-199¥278.3593200-499¥276.8256500-999¥274.78081000-1999¥273.5027≥2000¥272.2247
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 650V 215A 750W Sot227b85811-9¥218.707010-49¥213.001650-99¥208.6275100-199¥207.1060200-499¥205.9649500-999¥204.44351000-1999¥203.4926≥2000¥202.5417
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品类: SCR晶闸管描述: Thyristor SCR Module 1.2kV 1.15kA 4Pin SOT-227B51191-9¥125.603010-49¥122.326450-99¥119.8143100-199¥118.9406200-499¥118.2853500-999¥117.41151000-1999¥116.8654≥2000¥116.3193
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品类: SCR晶闸管描述: IXYS SEMICONDUCTOR MCO25-12IO1 晶闸管, 1200 V, 55 mA, 31 A, 49 A, SOT-227B, 4 引脚31681-9¥138.644010-49¥135.027250-99¥132.2543100-199¥131.2898200-499¥130.5665500-999¥129.60201000-1999¥128.9992≥2000¥128.3964
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品类: 功率二极管描述: Diode Schottky 200V 120A Sot22713741-9¥145.164510-49¥141.377650-99¥138.4743100-199¥137.4645200-499¥136.7071500-999¥135.69731000-1999¥135.0661≥2000¥134.4350
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品类: SCR晶闸管描述: MMO74 系列 1600 Vdrm 74 A 1.64 Vt 100 mA Igt 交流控制器模块71861-9¥256.657010-49¥249.961650-99¥244.8285100-199¥243.0430200-499¥241.7039500-999¥239.91851000-1999¥238.8026≥2000¥237.6867
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品类: 功率二极管描述: Diode Gen Purp 600V 120A Sot22766071-9¥351.440010-49¥342.272050-99¥335.2432100-199¥332.7984200-499¥330.9648500-999¥328.52001000-1999¥326.9920≥2000¥325.4640
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品类: 功率二极管描述: Diode Gen Purp 1kV 120A Sot22789381-9¥434.309010-49¥422.979250-99¥414.2930100-199¥411.2717200-499¥409.0058500-999¥405.98451000-1999¥404.0962≥2000¥402.2079
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品类: 功率二极管描述: Diode Gen Purp 1200V 60A Sot22716971-9¥169.694010-49¥165.267250-99¥161.8733100-199¥160.6928200-499¥159.8075500-999¥158.62701000-1999¥157.8892≥2000¥157.1514
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品类: 功率二极管描述: Diode Schottky 100V 60A Sot22725671-9¥82.995510-99¥79.3870100-249¥78.7375250-499¥78.2323500-999¥77.43841000-2499¥77.07762500-4999¥76.5724≥5000¥76.1394